Anexo 3 Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso -Vigente-

LISTAS DE ARMAS DE GUERRA, OTRO MATERIAL Y PRODUCTOS Y TECNOLOGÍAS DE DOBLE USO SOMETIDOS A CONTROL EN CUANTO A LA IMPORTACIÓN Y/O INTRODUCCIÓN

Nota: En algunos casos, los productos químicos se enumeran por nombre y número CAS. Esta lista se aplica a los productos químicos de la misma fórmula estructural (incluidos los hidratos) que están sometidos a control independientemente del nombre o del número CAS. Los números CAS se muestran para ayudar a identificar si un producto químico, o una mezcla, está sometido a control, independientemente de su nomenclatura. Los números CAS no pueden ser usados como identificadores únicos porque algunas formas de los productos químicos listados tienen números CAS diferentes y, además, mezclas que contienen un producto químico listado pueden tener un número CAS diferente.

ANEXO III.1

LISTA DE ARMAS DE GUERRA

Nota: Los términos que aparecen entre comillas (“”) en el presente anexo se encuentran definidos en el denominado Apéndice de Definiciones de los Términos Utilizados en el anexo I 1, en el anexo II y en el anexo III 1.

1. ARMAS DE FUEGO CON UN CALIBRE DE 12,7 MM (0,50 PULGADAS) O INFERIOR, SEGÚN SE INDICA:

a. Ametralladoras, fusiles, subfusiles y carabinas.

1. De calibre 12,7 mm que utilicen munición con vaina de ranura en el culote y no de pestaña o de reborde en el mismo lugar.

2. Que utilicen los siguientes calibres: (5,45x39,5), (5,56x45 o su equivalente 0,223), (7,62x39) y (7,62x51 OTAN).

N.B.: No se consideran armas de guerra las armas de repetición que utilicen munición de tipo 0,308 Winchester de bala expansiva o munición de tipo 7,62x39 de bala expansiva, para caza mayor.

b. Las armas de fuego automáticas no comprendidas en el apartado a. anterior.

c. Armas de cañón de ánima lisa diseñadas especialmente para uso militar.

2. ARMAS O ARMAMENTO DE CALIBRE SUPERIOR A 12,7 MM (0,50 PULGADAS), LANZADORES Y SUS SISTEMAS ENTRENADORES, SEGÚN SE INDICA:

Piezas de artillería, cañones, obuses, morteros, armas contracarro, cañones sin retroceso, lanzaproyectiles, lanzagranadas, lanzacohetes, lanzamisiles, lanzallamas y material militar para lanzamiento de humos y gases.

N.B.:No se consideran armas de guerra las armas de calibre superior a 12,7 mm y menor de 20 mm que no utilicen munición con vaina de ranura en el culote.

3. MUNICIONES Y CARGAS PARA LAS ARMAS INDICADAS EN LOS ARTÍCULOS 1 Y 2 DE LA PRESENTE LISTA Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLAS.

4. BOMBAS, TORPEDOS, GRANADAS, COHETES, MINAS, MISILES, CARGAS DE PROFUNDIDAD, CARGAS DE DEMOLICIÓN, DISEÑADOS O MODIFICADOS PARA USO MILITAR, Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

5. SISTEMAS DE VIGILANCIA Y OBSERVACIÓN Y DE PUNTERÍA, GUIADO Y DE DIRECCIÓN DE TIRO DISEÑADOS O MODIFICADOS PARA USO MILITAR, SEGÚN SE INDICA, Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS:

a. Visores y miras de armas.

b. Ordenadores de bombardeo.

c. Equipos de radar.

d. Equipos de telemando.

e. Anteojos (incluidos los de visión nocturna).

f. Cámaras de formación de imagen de infrarrojos o térmica.

g. Telémetros.

h. Equipo de puntería para cañones.

i. Sistemas de control para armas.

Nota 1: Los equipos de la relación anterior, en particular los correspondientes a los apartados a, e, f, g y h, estarán sujetos a control siempre y cuando estén diseñados especialmente para uso militar, pudiendo ser asociados mediante acoplamiento mecánico o funcionalmente al armamento descrito en los artículos 1 y 2, y a las diversas plataformas y sistemas contemplados en este anexo III.1.

No obstante, los equipos de visión nocturna que incorporen tubos intensificadores de imagen de primera generación y vayan asociados al armamento descrito en el artículo 2, y a las diversas plataformas y sistemas contemplados en este anexo III.1, no estarán sujetos a control.

Nota 2: La expresión componentes diseñados especialmente incluye lo siguiente, cuando estén diseñados especialmente para uso militar:

a.- Los tubos convertidores de imágenes infrarrojas;

b.-Los tubos intensificadores de imagen (distintos de los de la primera generación);

c.-Las placas de microcanales;

d.-Los sistemas de refrigeración para sistemas de formación de imágenes;

e.- Los inversores de imagen de fibra óptica;

f.- Los fotocátodos con semiconductores compuestos.

N.B. Véanse también los subartículos 6A002.a.2 y 6A002.b de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.

6. CARROS DE COMBATE Y OTROS VEHÍCULOS TERRENOS DISEÑADOS O MODIFICADOS PARA USO MILITAR Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

7. AGENTES TOXICOLÓGICOS Y PRECURSORES QUÍMICOS SEGÚN SE INDICAN:

a. Agentes biológicos, químicos y radiactivos “adaptados para utilización en guerra”. Incluye los siguientes:

1. Agentes nerviosos para la guerra química:

a. Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil)-fosfonofluoridatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C₁₀ incluyendo los cicloalquilos), tales como:

Sarín (GB): metilfosfonofluoridato de O-isopropilo (CAS 107-44-8);

Somán (GD): metilfosfonofluoridato de O-pinacólilo (CAS 96-64-0).

b. N, N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosforamidocianidatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C₁₀), incluyendo los cicloalquilos, tales como:

Tabún (GA): N, N-dimetilfosforamidocianidato de O-etilo (CAS 77-81-6).

c. Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonotiolatos de O-alquilo (H o ≤ C₁₀, incluyendo los cicloalquilos) y de S-2-dialquilo (metil, etil, n-propil o isopropil)-aminoetil y sus sales alquiladas y protonadas, tales como:

VX: Metil fosfonotiolato de O-etilo y de S-2-diisopropilaminoetilo (CAS 50782-69-9).

d. Amitón: fosforotiolato de O,Odietilo y S[ 2 (dietilamino) etilo] (CAS 78-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes.

e. Fluoruros de P-alquil (H o ≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o ≤ C₁₀, incluido el cicloalquilo) fosfonamídicos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes.

Nota:

A los efectos de ML7.b.1.e, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

Fluoruro de N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)-P-decilfosfonamidico (CAS 2387495-99-8).

Metil-(1-(dietilamino) etiliden) fosfonamidofluoridato (CAS 2387496-12-8).

f. O-alquil (H o ≤ C10, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(≤ C10, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o ≤ C10, incluido el cicloalquilo) fosforamidofluoridatos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes:

Nota:

A los efectos de ML7.b.1f, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

O-n-decil N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-00-4).

Metil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-04-8).

Etil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS 2387496-06-0).

g. Metil-(bis(dietilamino)metilen)fosfonamidofluoridato (CAS 2387496-14-0).

h. Carbamatos. Cuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de 1-[N,N-dialquil(?≤10)-N-(n-(hidroxil, ciano, acetoxi)alquil(?≤10)) amonio]-n- [N-(3-dimetil-carbamoxi-α-picolinil)-N,N-dialquil(?≤10) amonio]decano (n=1-8).

Nota:

A los efectos de ML7.b.1h, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:

Dibromuro de 1-[N,N-dimetil-N-(2-hidroxi)etilamonio]-10-[N-(3-dimetil carbamoxi-α-picolinil)-N,N-dimetilamonio]decano (CAS 77104-62-2).

i. Carbamatos. Bicuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de 1,n-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-α-picolil)-N,N-dialquil((?≤10) amonio]-alcano-(2,(n-1)-diona) (n=2-12).

Nota:

A los efectos de ML7.b.1i, se incluye la siguiente sustancia, tal como:

Dibromuro de 1,10-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-α-picolil)-N-etil-N-metilamonio]- decano-2,9-diona (CAS77104-00-8).

2. Agentes vesicantes para guerra química:

a. Mostazas de azufre, tales como:

Clorometilsulfuro de 2-cloroetilo (CAS 2625-76-5);

Sulfuro de bis (2-cloroetilo) (CAS 505-60-2);

Bis (2-cloroetiltio) metano (CAS 63869-13-6);

1, 2-bis (2-cloroetiltio) etano (CAS 3563-36-8);

1, 3-bis (2-cloroetiltio)-n-propano (CAS 63905-10-2);

1, 4-bis (2-cloroetiltio)-n-butano (CAS 142868-93-7);

1, 5-bis (2-cloroetiltio)-n-pentano (CAS 142868-94-8);

Bis (2-cloroetiltiometil) éter (CAS 63918-90-1);

Bis (2-cloroetiltioetil) éter (CAS 63918-89-8).

b. Levisitas, tales como:

2-clorovinildicloroarsina (CAS 541-25-3);

Tris (2-clorovinil) arsina (CAS 40334-70-1);

Bis (2-clorovinil) cloroarsina (CAS 40334-69-8);

c. Mostazas nitrogenadas, tales como:

HN1: bis (2-cloroetil) etilamina (CAS 538-07-8);

HN2: bis (2-cloroetil) metilamina (CAS 51-75-2);

HN3: tris (2-cloroetil) amina (CAS 555-77-1);

3. Agentes incapacitantes para la guerra química, tales como:

Bencilato de 3-quinuclidinilo (BZ) (CAS 6581-06-2);

4. Agentes defoliantes para la guerra química, tales como:

a. Butil 2-cloro-4-fluorofenoxiacetato (LNF);

b. Ácido 2, 4, 5-triclorofenoacético mezclado con ácido 2, 4-diclorofenoxiacético (Agente naranja).

b. Precursores binarios de agentes para la guerra química y precursores claves, según se indican:

1. Difluoruros de alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonilo, tales como:

DF: Difluoruro de metilfosfonilo (CAS 676-99-3).

2. Fosfonito de O-alquil (H igual a ó menor que C₁₀, incluyendo el cicloalquilo) O-2- dialquil (metil, etil, n-propil ó isopropil) aminoetil alquilo (metilo, etilo n-propilo o isopropilo) y correspondientes sales alquiladas y protonadas, tales como:

QL: Metilfosfonito de O-etil-2-di-isopropilaminoetilo (CAS 57856-11-8);

3. Clorosarín: Metilfosfonocloridato de O-isopropilo (CAS 1445-76-7);

4. Clorosomán: Metilfosfonocloridato de O-pinacolilo (CAS 7040-57-5).

8. BUQUES DE GUERRA, EQUIPOS NAVALES ESPECIALIZADOS Y LOS COMPONENTES MODIFICADOS O DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

9. “AERONAVES” DE GUERRA (INCLUIDOS LOS VEHÍCULOS AÉREOS NO TRIPULADOS UAV), EQUIPO RELACIONADO Y LOS COMPONENTES MODIFICADOS O DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

10. SISTEMAS DE ARMAS DE ENERGÍA DIRIGIDA, SEGÚN SE INDICA, Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS:

a. Sistemas “láser” diseñados especialmente para destruir un objetivo o hacer abortar la misión de un objetivo.

b. Sistemas de haces de partículas capaces de destruir un objetivo o hacer abortar la misión de un objetivo.

c. Sistemas de radiofrecuencia (RF) de gran potencia capaces de destruir un objetivo o de hacer abortar la misión de un objetivo.

11. SATÉLITES MILITARES Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

12. EQUIPOS Y SISTEMAS DE GUERRA ELECTRÓNICA, INCLUYENDO CIFRADO, Y BENGALAS, Y LOS COMPONENTES DISEÑADOS ESPECIALMENTE PARA ELLOS.

Nota: Los términos utilizados en la presente Lista se entenderán de acuerdo con la definición dada en la Relación de Material de Defensa (RMD) y en el Reglamento de Armas.

ANEXO III.2

OTRO MATERIAL REFERIDO A ARMAS DE FUEGO, SUS PIEZAS Y COMPONENTES ESENCIALES Y MUNICIONES PARA USO CIVIL Y VISORES, MIRAS Y EQUIPOS DE VISIÓN NOCTURNA SOMETIDOS A CONTROL EN LA IMPORTACIÓN Y/O INTRODUCCIÓN

1. Aquellas armas de fuego, así como sus partes y componentes esenciales y municiones, definidas en el anexo I del Reglamento (UE) Nº 258/2012 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 14 de marzo de 2012, por el que se aplica el artículo 10 del Protocolo de las Naciones Unidas contra la fabricación y el tráfico ilícitos de armas de fuego, sus piezas y componentes y municiones, que complementa la Convención de las Naciones Unidas contra la delincuencia transnacional organizada, y por el que se establecen autorizaciones de exportación y medidas de importación y tránsito para las armas de fuego, sus piezas y componentes y municiones.

Nota: El anexo II.1 se aplica a aquellas armas de fuego, sus partes y componentes esenciales y municiones de uso civil. Las armas de fuego y municiones incluidas en el Anexo I.1 Relación de Material de Defensa se refieren a armas de uso militar. No están sometidas a control las partes y componentes no esenciales de armas de fuego, ni las armas de avancarga que sean réplicas de armas antiguas de acuerdo con su definición; ni las armas de aire comprimido. Los componentes de municiones sometidos a control están definidos en el Reglamento de artículos pirotécnicos y cartuchería aprobado por Real Decreto 989/2015, de 30 de octubre.

2. Tubos intensificadores de imagen y sensores de absorción de radiación infrarroja y sus componentes especialmente diseñados para ellos.

Nota 1: Este artículo no somete a control los tubos intensificadores de primera generación.

Nota 2: Este artículo somete a control aquellos sistemas de visión nocturna o térmica adaptables a armas de fuego de uso civil o a sus miras.

Nota 3: Este artículo no somete a control los visores ópticos telescópicos.

ANEXO III.3

LISTAS DE PRODUCTOS Y TECNOLOGÍAS DE DOBLE USO SOMETIDOS A CONTROL EN LA IMPORTACIÓN Y/O INTRODUCCIÓN

LISTA DE PRODUCTOS NUCLEARES DE DOBLE USO INCLUIDOS EN LA CONVENCIÓN SOBRE LA PROTECCIÓN FÍSICA DE LOS MATERIALES NUCLEARES

a. “Uranio natural” en forma de metal, aleación, compuesto químico o concentrado, así como cualquier otro material que lo contenga.

Nota: no se someten a control cuatro gramos o menos de uranio natural cuando estén contenidos en un elemento sensor de un instrumento.

b. “Materiales fisionables especiales”

Nota: no se someten a control cuatro gramos efectivos o menos de materiales fisionables especiales cuando estén contenidos en un elemento sensor de un instrumento.

SUSTANCIAS QUÍMICAS QUE ESTÁN INCLUIDAS EN LAS LISTAS 1, 2 Y 3 DE LA CONVENCIÓN DE 13 DE ENERO DE 1993 SOBRE LA PROHIBICIÓN DEL DESARROLLO, LA PRODUCCIÓN, EL ALMACENAMIENTO Y EL EMPLEO DE ARMAS QUÍMICAS Y SOBRE SU DESTRUCCIÓN

LISTA 1.

a. Ricina (CAS 9009-86-3)

b. Saxitoxina (CAS 35523-89-8)

LISTA 2.

a. Sustancias químicas tóxicas:

1. Amitón: fosforotiolato de O,O-dietil S-[2-(dietilamino) etilo] (CAS 78-53-5) y sales alquiladas o protonadas correspondientes;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluor-2-(trifluorometil)-1-propeno (CAS 382-21-8);

3.VÉASE LA LISTA DE ARMAS DE GUERRA EN LO QUE RESPECTA A

BZ: Benzilato de 3-quinuclidinilo (CAS 6581-06-2);

b. Precursores:

4. Sustancias químicas distintas de las incluidas en la Lista de Armas de Guerra, que contengan un átomo de fósforo en enlace con un grupo metilo, etilo, n-propilo o isopropilo, pero no en otros átomos de carbono.

Ej.: Dicloruro de metilfosfonilo (CAS 676-97-1) Metilfosfonato de dimetilo (CAS 756-79-6)

Excepción: Fonofos: Etilfosfonotiolotionato de O-etilo S-fenilo (CAS 944-22-9);

5. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) dihaluros fosforamídicos;

6. Dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil)-N,N- dialquílicos [metil, etil, n-propil o isopropilo] fosforamidatos;

7. Tricloruro de arsénico (CAS 7784-34-1);

8. Ácido 2,2-difenil-2-hidroxiacético (ácido bencílico) (CAS 76-93-7);

9. Quinuclidinol-3 (CAS 1619-34-7);

10. Cloruros de N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetil-2 y sales protonadas correspondientes;

11. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetanoles-2 y sales protonadas correspondientes;

Excepciones: N,N-dimetilaminoetanol (CAS 108-01-0) y sales protonadas correspondientes;

N,N-dietilaminoetanol (CAS 100-37-8) y sales protonadas correspondientes

12. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetanol-2 tioles y sales protonadas correspondientes;

13. Tiodiglicol: sulfuro de bis (2-hidroxietilo) (CAS 111-48-8);

14. Alcohol pinacólico: 3,3-dimetilbutanol-2 (CAS 464-07-3).

LISTA 3.

a. Sustancias químicas tóxicas:

1. Fosgeno: dicloruro de carbonilo (CAS 75-44-5);

2. Cloruro de cianógeno (CAS 506-77-4);

3. Cianuro de hidrógeno (CAS 74-90-8);

4. Cloropicrina: tricloronitrometano (CAS 76-06-2).

b. Precursores:

5. Oxicloruro de fósforo (CAS 10025-87-3);

6. Tricloruro de fósforo (CAS 7719-12-2);

7. Pentacloruro de fósforo (CAS 10026-13-8);

8. Fosfito trimetílico (CAS 121-45-9);

9. Fosfito trietílico (CAS 122-52-1);

10. Fosfito dimetílico (CAS 868-85-9);

11. Fosfito dietílico (CAS 762-04-9);

12. Monocloruro de azufre (CAS 10025-67-9)

13. Dicloruro de azufre (CAS 10545-99-0);

14. Cloruro de tionilo (CAS 7719-09-7);

15. Etildietanolamina (CAS 137-87-7);

16. Metidietanolamina (CAS 105-59-9);

17. Trietanolamina (CAS 102-71-6).

LISTA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO INCLUIDOS EN LA CONVENCIÓN SOBRE LA PROHIBICIÓN DEL DESARROLLO, PRODUCCIÓN Y EL ALMACENAMIENTO DE ARMAS BACTERIOLÓGICAS (BIOLÓGICAS) Y SOBRE SU DESTRUCCIÓN

a. Bacterias:

Bacillus anthracis, brucella abortus, brucella melitensis, brucella suis, burkholderia (pseudomonas) mallei, burkholderia (pseudomonas) pseudomallei, coxiella burnetti, francisella tularensis, vibrio cholerae y yersinia pestis.

b. Virus:

ébola, encefalitis equina de Venezuela, encefalitis vector/garrapata, fiebres hemorrágicas y fiebre amarilla, guanarito, hantaan, junín, lassa, maburg, machupo, mycobacterium tuberculosis, nipah, sabia, viruela,.

c. Toxinas:

Botulínica, del clostridium perfringens, enterotoxina B de staphilococcus, ricina, saxitoxina, y T-2 micotoxinas.

N. B.: Véanse los subartículos 7.a del anexo I.1 y del anexo III.1

MATERIAL DE DESACTIVACIÓN DE EXPLOSIVOS IMPROVISADOS

1A006 Equipos especialmente diseñados o modificados para la eliminación de artefactos explosivos improvisados (IED), según se indica, y componentes y accesorios diseñados expresamente para ellos:

N.B. Véase asimismo la Relación de Material de Defensa.

a. Vehículos de control remoto

b. “Disruptores”.

Nota técnica: A los efectos del subartículo 1A006.b los “disruptores” son dispositivos diseñados especialmente para impedir el funcionamiento de un dispositivo explosivo mediante el lanzamiento de un líquido, un sólido o un proyectil frangible.

Nota: El artículo 1A006 no somete a control el equipo que va acompañado de su operador.

5A001.h Material contra artefactos explosivos improvisados (IED) y equipo conexo, según se indica:

1. Equipos de transmisión por radiofrecuencia (RF), no especificados en el subartículo 5A001.f, diseñados o modificados para activar prematuramente o impedir la puesta en marcha de dispositivos explosivos improvisados (IED).

2. Equipos que utilicen técnicas destinadas a permitir las radiocomunicaciones en los mismos canales de frecuencia en los que transmite el equipo coubicado que se especifica en el subartículo 5A001.h.1.

N.B. Véase asimismo la Relación de Material de Defensa.

Lista de productos de doble uso no incluidos en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, por el que se establece un régimen de la Unión de control de las exportaciones, el corretaje, la asistencia técnica, el tránsito y la transferencia de productos de doble uso (versión refundida).

1C901 Nitrato amónico (CAS 6484-52-2) en grado explosivo con una concentración mayor o igual de nitrógeno del 31,5 ?%.

Nota 1: El artículo 1C901 somete a control nitrato amónico, nitrato amónico técnico, nitrato amónico granulado, nitrato amónico poroso y cualquier otra presentación en la que pueda ser utilizado como oxidante sólido.

Nota 2: El artículo 1C901 incluye las mezclas explosivas de nitrato amónico con fuel, emulsiones, hidrogeles y explosivos resistentes al agua.

Nota 3: El artículo 1C900 no somete a control el nitrato amónico en grado fertilizante de alta densidad y baja porosidad.

Nota 4: el artículo 1C901 no somete a control el nitrato amónico (números ONU 1942 y 2426) para la fabricación de explosivos, así como de las matrices de emulsiones, suspensiones y geles a base de nitrato amónico (número ONU 3375) que se usen para la fabricación de explosivos, que se regirá por la Instrucción técnica complementaria número 30 del Reglamento de Explosivos, aprobado por el Real Decreto 130/2017, de 24 de febrero.

5A901 Sistemas y equipos de radiofrecuencia no incluidos en las categorías 5.A.1.f y 5.A.1.h del anexo I del Reglamento (UE) 2021/821821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, componentes y accesorios, especialmente diseñados o modificados para desarrollar cualquiera de las siguientes funciones:

1. Tomar el control y comando de aviones no tripulados.

2. Interferir de forma deliberada y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar, las señales de radiofrecuencia para el control y comando de aviones no tripulados.

3. Utilizar las características específicas del protocolo de radiofrecuencia empleado por los aviones no tripulados para interferir en su funcionamiento.

N.B. Para los sistemas de perturbación GNSS, véase asimismo la Relación de Material de Defensa, categoría 11.b.

1C903

“Materiales energéticos”, y sustancias relacionadas, según se indica: a. Nitrocelulosa (CAS 9004-70-0). b. 2,4,6-Trinitrotolueno (TNT) (CAS 118-96-7). Nota técnica: A los efectos de 1C903, los materiales energéticos y sustancias relacionadas, incluyen los productos descritos, así como aquellos derivados de estos para la fabricación final de explosivos.

ANEXO III.4

LISTA DE PRODUCTOS SOMETIDOS A CONTROL EN LA EXPORTACIÓN Y/O EXPEDICIÓN NO INCLUIDOS EN EL ANEXO I DEL REGLAMENTO (UE) 2021/821 DEL PARLAMENTO EUROPEO Y DEL CONSEJO, DE 20 DE MAYO DE 2021, POR EL QUE SE ESTABLECE UN RÉGIMEN DE LA UNIÓN DE CONTROL DE LAS EXPORTACIONES, EL CORRETAJE, LA ASISTENCIA TÉCNICA, EL TRÁNSITO Y LA TRANSFERENCIA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO (VERSIÓN REFUNDIDA)

1C901 Nitrato amónico (CAS 6484-52-2) en grado explosivo con una concentración mayor o igual de nitrógeno del 31,5 ?%.

Nota 1: El artículo 1C901 somete a control nitrato amónico, nitrato amónico técnico, nitrato amónico granulado, nitrato amónico poroso y cualquier otra presentación en la que pueda ser utilizado como oxidante sólido.

Nota 2: El artículo 1C901 incluye las mezclas explosivas de nitrato amónico con fuel, emulsiones, hidrogeles y explosivos resistentes al agua.

Nota 3: El artículo 1C901 no somete a control el nitrato amónico en grado fertilizante de alta densidad y baja porosidad.

Nota 4: El artículo 1C901 no somete a control en la expedición el nitrato amónico (números ONU 1942 y 2426) para la fabricación de explosivos, así como de las matrices de emulsiones, suspensiones y geles a base de nitrato amónico (número ONU 3375) que se usen para la fabricación de explosivos, que se regirá por la Instrucción técnica complementaria número 30 del Reglamento de Explosivos, aprobado por el Real Decreto 130/2017, de 24 de febrero.

5A901 Sistemas y equipos de radiofrecuencia no incluidos en las categorías 5.A.1.f y 5.A.1.h, componentes y accesorios, especialmente diseñados o modificados para desarrollar cualquiera de las siguientes funciones:

1. Tomar el control y comando de aviones no tripulados.

2. Interferir de forma deliberada y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar, las señales de radiofrecuencia para el control y comando de aviones no tripulados.

3. Utilizar las características específicas del protocolo de radiofrecuencia empleado por los aviones no tripulados para interferir en su funcionamiento.

N.B. Para los sistemas de perturbación GNSS, véase asimismo la Relación de Material de Defensa, categoría 11.b.

1C903

“Materiales energéticos”, y sustancias relacionadas, según se indica: c. Nitrocelulosa (CAS 9004-70-0). d. 2,4,6-Trinitrotolueno (TNT) (CAS 118-96-7). Nota técnica: A los efectos de 1C903, los materiales energéticos y sustancias relacionadas, incluyen los productos descritos, así como aquellos derivados de éstos para la fabricación final de explosivos.

ANEXO III.5

LISTA DE PRODUCTOS SOMETIDOS A CONTROL EN LA EXPORTACIÓN NO INCLUIDOS EN EL ANEXO I DEL REGLAMENTO (UE) 2021/821

Nota general sobre tecnología

La exportación de “tecnología” “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción” o la “utilización” de productos sometidos a control incluidos en las categorías 0 a 9 se someterá a control de conformidad con lo dispuesto en las categorías 1 a 9. Asimismo, se controlará la “tecnología” “necesaria” para el “desarrollo”, la “producción” o la “utilización” de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control. No se aplicarán controles a aquella “tecnología” que sea la mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportación se haya autorizado.

Acrónimos y abreviaturas

Para la aplicación e interpretación de este anexo resulta de aplicación la lista de acrónimos y abreviaturas contemplados en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821, así como los siguientes:

Acrónimos y abreviaturas
FPLD	Field Programmable Logic Device.
LUT	Lookup table.

Definiciones

Resulta de aplicación a este anexo la lista de definiciones contempladas en el anexo I del Reglamento (UE) 2021/821, así como las siguientes:

“Metales y aleaciones refractarias”: Metales y aleaciones de niobio, molibdeno, tungsteno y tantalio.

“GDSII” (“Graphic Design System II”) es un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de diseños de circuitos integrados o de diseños de circuitos integrados.

Lista de productos

1A901	Polvos de “aleaciones de alta entropía” o de “metales y aleaciones refractarios”, que tengan una superficie modificada con “inoculantes”. Notas técnica: A los efectos de 1A901: 1. Las ‘aleaciones de alta entropía’ son aleaciones que tienen al menos 5 elementos metálicos principales, cada uno con una concentración dentro del rango de 5 a 35 por ciento atómico, de la siguiente lista: Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta o W. 2. Los ‘inoculantes’ son aditivos que promueven la nucleación de granos y aumentan el área total de los límites de grano para inhibir los defectos de solidificación.
1E901	“Tecnología”, no especificada en otra parte, para el “desarrollo” o la “producción” de “sistemas de revestimiento” que tengan todas las características siguientes: 1. Diseñados para proteger los materiales “compuestos” de “matriz” cerámica especificados en 1A901 contra la corrosión; y 2. Diseñados para funcionar a temperaturas superiores a 1.373,15 K (1.100 °C). Nota técnica: A los efectos del apartado 1E901, los «sistemas de revestimiento» consisten en una o más capas (por ejemplo, capa de unión, capa intermedia, capa superior) de material depositadas sobre el sustrato.
2B901	Equipos de fabricación aditiva, diseñados para producir componentes de metal o aleaciones de metal, que tengan todo lo siguiente, y componentes especialmente diseñados para ello: a. Tener al menos una de las siguientes fuentes de consolidación: 1. “Láser”; 2. Haz de electrones; o 3. Arco eléctrico; b. Tener una atmósfera de proceso controlada de cualquiera de las siguientes: 1. Gas inerte; o 2. Vacío (igual o menor a 100 Pa); c. Tener cualquiera de los siguientes equipos de “monitoreo en proceso” en una “configuración coaxial” o “configuración paraxial”: 1. Cámara de imágenes con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 14.000 nm; 2. Pirómetro diseñado para medir temperaturas superiores a 1.273,15 K (1.000 °C); o 3. Radiómetro o espectrómetro con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 3000 nm; y d. Un sistema de control de circuito cerrado diseñado para modificar los parámetros de la fuente de consolidación, la ruta de construcción o la configuración del equipo durante el ciclo de construcción en respuesta a la retroalimentación del equipo de “monitoreo en proceso” especificado en 2B901. Notas técnicas: A los efectos de 2B901: 1. La “supervisión en proceso”, también conocida como supervisión del proceso in situ, se refiere a la observación y medición del proceso de fabricación aditiva, incluidas las emisiones electromagnéticas o térmicas del baño de fusión. 2. La “configuración coaxial”, también conocida como configuración en línea o sobre el eje, se refiere a uno o más sensores que están montados en una trayectoria óptica compartida por la fuente de consolidación “láser”. 3. La “configuración paraxial” se refiere a uno o más sensores que están montados físicamente sobre el componente de la fuente de consolidación “láser”, haz de electrones o arco eléctrico o que están integrados en él. 4. Tanto para la “configuración coaxial” como para la “configuración paraxial”, el campo de visión del o los sensores está fijado al marco de referencia móvil de la fuente de consolidación y se mueve en las mismas trayectorias de escaneo de la fuente de consolidación durante todo el proceso de construcción.
2E901	Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de fabricación aditiva, diseñados para producir componentes de metal o aleaciones de metal especificados en 2B901.
3B903	Equipo de litografía como sigue: 1. Alinear y exponer equipos de paso y repetición (paso directo sobre la oblea) o de paso y escaneo (escáner) para el procesamiento de obleas mediante métodos fotoópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las siguientes características: a. Una longitud de onda de fuente de luz inferior a 193 nm; o b. Tener todo lo siguiente: 1. Una longitud de onda de fuente de luz igual o superior a 193 nm; 2. Capaz de producir un patrón con un ‘tamaño de característica resoluble mínimo’ (‘MRF’) de 45 nm o menos; y 3. Un valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición menor o igual a 1,50 nm. Notas técnicas: A los efectos del artículo 3B903: 1. El \'Tamaño de característica resoluble mínimo\' (‘MRF’) es calculado de acuerdo con la siguiente fórmula: MRF = [(una fuente de luz de exposición de onda en mm) x Factor K] / apertura numérica máxima donde, el factor K = 0.25. ‘MRF’ También se le conoce como resolución. 2. ‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ es la precisión de alineación de un nuevo patrón con un patrón existente impreso en una oblea mediante el mismo sistema litográfico. ‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ se le conoce también por precisión de posicionamiento de la máquina.
3E905	Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de equipos de litografía, especificados en 3B903.
3B904	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, según se indica a continuación, y componentes y accesorios especialmente diseñados para ellos: a. Equipo diseñado para crecimiento epitaxial como se indica a continuación: 2. Equipo diseñado o modificado para producir una capa de cualquier material distinto de silicona con un espesor uniforme de menos de ± 2,5?% a lo largo de una distancia de 75 mm o más; 3. Reactores de deposición química en fase de vapor de metal orgánico (MOCVD) diseñados para el crecimiento epitaxial de materiales semiconductores compuestos que tienen dos o más de los siguientes elementos: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno.; 4. Equipos de crecimiento epitaxial por haz molecular utilizando fuentes gaseosas o sólidas; 5. Equipo diseñado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio germanio (SiGe), y que tenga todas las características siguientes: a. Al menos una cámara de prelimpieza diseñada para proporcionar un medio de preparación de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y b. Una cámara de deposición epitaxial diseñada para funcionar a una temperatura inferior a 958 K (685 °C). Nota 3B906.a.1 y 3.B906.a.4 incluye equipos de crecimiento epitaxial de capa atómica (ALE).
3E906	Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.
3B904	Películas especialmente diseñadas para litografía ultravioleta extrema. Nota técnica: A los efectos del apartado 3B904, una «película» es una membrana integrada en un marco, diseñada para proteger una máscara o retícula de la contaminación por partículas.
3E907	Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.
3B905	Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD) configurables por el usuario y que tienen un \'recuento de entradas de tabla de búsqueda agregada\' mayor o igual a 1.800.000. N.B.: Para artículos que tengan FPLD combinados con un convertidor analógico a digital, clasificados para temperaturas de funcionamiento extendidas o reforzados contra la radiación, o que tengan funcionalidad criptográfica, consultar también los artículos 3A002.h., 4A001.a y 5A002.a respectivamente, recogidos en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo de 2021. Notas técnicas: A los efectos de 3.A.2.i.: 1. “Configurable por el usuario” significa que un usuario puede configurar o modificar las celdas lógicas o las interconexiones entre celdas lógicas dentro de la estructura lógica del FPLD para prescribir la función específica que realiza el elemento 3B905. 2. “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” es la suma del número de entradas independientes disponibles para cada tabla de búsqueda programable (LUT), acumulada en todas las LUT físicas contenidas dentro de un FPLD u otro elemento programable. Los siguientes son ejemplos de cálculo del “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada”. Un ejemplo es: una placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150.000 LUT programables con 6 entradas, tendría un “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” de 2 X 150.000 X 6 = 1.800.000.
3E908	Tecnología para la fabricación de Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD), especificados en 3B905.
3A906	Equipos electrónicos, circuitos integrados de uso general, según se indica a continuación: 1. “Microcircuitos de microprocesador”. a. Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente superior a 398 K (+125 °C); b. Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (-55 °C); o c. Clasificados para funcionar en todo el rango de temperatura ambiente de 218 K (-55°C) a 398 K (+125 °C); Nota: 3A906.1 no se aplica a los circuitos integrados diseñados para aplicaciones de automóviles civiles o trenes ferroviarios. N.B.: Para circuitos integrados CMOS criogénicos no especificados en 3A906.1.a.2., véase 3A906.2. 2. Circuitos integrados de semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS), no especificados en el apartado 3A906.1, diseñados para funcionar a una temperatura ambiente igual o inferior a (mejor que) 4,5 K (-268,65 °C). Nota técnica: A los efectos del apartado 3A906.2, los circuitos integrados CMOS también se denominan circuitos integrados CMOS criogénicos o crioCMOS.
3E909	Tecnología para la fabricación de conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más dispositivos lógicos programables (FPLD), especificados en 3B906.
3A907	Circuitos integrados que tienen una o más unidades de procesamiento digital con un ‘Rendimiento de Procesamiento Total’ (“TPP”) de 6.000 o más. N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan circuitos integrados especificados en 3A907, consulte también el artículo 4A007 recogido en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo de 2021. Nota técnica: A los efectos del artículo 3A907: 1. El «rendimiento total de procesamiento» («TPP») es 2 x «MacTOPS» x «longitud en bits de la operación», sumados a todas las unidades de procesamiento del circuito integrado. a. «MacTOPS» es el número máximo teórico de Tera (1012) operaciones por segundo para el cálculo de multiplicación-acumulación (D=AxB+C). b. El 2 en la fórmula «TPP» se basa en la convención de la industria de contar un cálculo de multiplicación-acumulación, D=AxB+C, como 2 operaciones a los efectos de las hojas de datos. Por lo tanto, 2 x MacTOPS puede corresponder a los TOPS o FLOPS informados en una hoja de datos. c. La «longitud en bits de la operación» para un cálculo de multiplicación-acumulación es la longitud en bits más grande de las entradas a la operación de multiplicación. d. Sume los «TPP» para cada unidad de procesamiento del circuito integrado para obtener un total. ‘TPP’ = TPP1 + TPP2 +.... + TPPn (donde n es el número de unidades de procesamiento en el circuito integrado). 2. La tasa de ‘MacTOPS’ se debe calcular en su valor máximo teóricamente posible. Se supone que la tasa de ‘MacTOPS’ es el valor más alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el circuito integrado. Por ejemplo, el umbral de ‘TPP’ de 6000 se puede cumplir con 750 Tera operaciones enteras (o 2 x 375 ‘MacTOPS’) a 8 bits o 300 Tera FLOPS (o 2 x 150 ‘MacTOPS’) a 16 bits. Si el CI está diseñado para el cálculo MAC con múltiples longitudes de bits que alcanzan diferentes valores de ‘TPP’, el valor de ‘TPP’ más alto se debe evaluar en relación con los parámetros en 3A907. 3. Para los circuitos integrados, especificados por 3A907, que proporcionan procesamiento de matrices tanto dispersas como densas, los valores \'TPP\' son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).
3E910	Tecnología para la fabricación de circuitos integrados que tienen una o más unidades de procesamiento digital, especificados en 3A907.
3B906	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios especialmente diseñados para ellos. Equipos de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de deposición de capas atómicas (ALD), diseñados para la deposición de un «metal con función de trabajo» compuesto de carburo de aluminio y titanio (TiAlC) y que tengan una función de trabajo superior a 4,0 eV, y que tengan todas las siguientes características: 1. Más de una fuente de metal, de las cuales una funciona como fuente de precursor de aluminio; y 2. Un recipiente de precursor diseñado para funcionar a una temperatura superior o igual a 303,15 K (30 °C); Nota técnica: A los efectos del apartado 3B906, un «metal con función de trabajo» es un material que controla el voltaje umbral de un transistor.
3E911	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B906.
3B907	Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos. Equipos diseñados para la deposición mejorada por plasma sin huecos de una capa con una constante dieléctrica inferior a 3,3, en «espacios» que tienen una «relación de aspecto» igual o superior a 1:1 y un ancho inferior a 25 nm. Notas técnicas: A los efectos de 3B907: 1. Un «espacio» es el espacio entre líneas de metal. 2. La «relación de aspecto» (profundidad:ancho) se define como la relación entre la profundidad y el ancho del espacio entre las líneas de metal.
3E912	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B907.
3B908	Equipos de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de deposición de capas atómicas (ALD) según se indica a continuación: a. Equipos diseñados para la deposición de tungsteno para llenar una interconexión completa o en un canal de menos de 40 nm de ancho; b. Equipos diseñados para la “deposición selectiva de área” de una barrera de pared lateral de metal o nitruro metálico utilizando un precursor de compuesto organometálico; Nota técnica: A los efectos de 3.B.1.k.1.b, “deposición selectiva de área” se refiere a la deposición de material en la pared lateral pero no en la parte inferior de una característica.
3E913	Tecnología para la fabricación de equipos para la deposición de capas atómicas especificados en 3B908.
3B909	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, según se indica a continuación: 1. Equipos diseñados para procesos de deposición electrolítica de cobalto o de deposición electrolítica de cobalto; 2. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD) de metal de relleno de cobalto (Co); 3. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD) “selectiva de abajo hacia arriba” de metal de relleno de tungsteno. Nota técnica: A los efectos de 3B909, “selectiva de abajo hacia arriba” se refiere a la deposición preferencial de material en la parte inferior en relación con la pared lateral.
3E914	Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de semiconductores especificados en 3B909.
3B910	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, según se indica a continuación. Equipos diseñados para el procesamiento en múltiples etapas en múltiples cámaras y que mantienen un alto vacío o un entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, según se indica a continuación: a. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante la realización de todos los procesos siguientes: 1. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidrógeno, hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); 2. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza oxígeno u ozono, mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 313,15 K (40 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y 3. Deposición de una capa de tungsteno manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); b. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los procesos siguientes: 1. Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de plasma remoto y un filtro de iones; y 2. Deposición de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando un precursor de compuesto organometálico; c. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los procesos siguientes: 1. Deposición de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de tungsteno (WC), utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); 2. Deposición de una capa de cobalto utilizando una técnica de deposición física por pulverización catódica y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor que 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura menor que 773,15 K (500 °C); y 3. Deposición de una capa de cobalto utilizando un compuesto organometálico y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor que 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura mayor que 293,15 K (20 °C) y menor que 773,15 K (500 °C); d. Equipos diseñados para fabricar interconexiones de cobre (Cu) mediante la realización de todos los procesos siguientes: 1. Deposición de una capa de cobalto o rutenio utilizando un precursor de compuesto organometálico y que tenga una presión de proceso superior a 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor a 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) y menor a 773,15 K (500 °C); y 2. Deposición de una capa de cobre utilizando una técnica de deposición física de vapor que tenga una presión de proceso superior a 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor a 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura inferior a 773,15 K (500 °C);
3E915	Tecnología para la fabricación de equipos para la fabricación de semiconductores especificados en 3B910.
3B911	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante un procesamiento de múltiples pasos dentro de una única cámara, realizando todo lo siguiente: a. Deposición de una capa de tungsteno, utilizando un precursor de compuesto organometálico, mientras se mantiene la temperatura del sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y b. Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidrógeno, hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3).
3E916	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B911.
3B912	Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, por deposición de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C).
3E917	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B911.
3A908	Sistemas y componentes de refrigeración criogénica, según se indica a continuación: a. Sistemas diseñados para proporcionar una potencia de refrigeración mayor o igual a 600µW a una temperatura de 0,1 K (-273,05 °C) o inferior durante un período de más de 48 horas; b. Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas diseñados para mantener una temperatura inferior a 4 K (-269,15 °C) y proporcionar una potencia de refrigeración mayor o igual a 1,5 W a una temperatura de 4,2 K (-268,95 °C) o inferior.
3E918	Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por contacto metálico especificados en 3B908.
3A909	Circuitos integrados que tengan una tasa de transferencia bidireccional agregada de 600 Gbyte/s o más en todas las entradas y salidas y hacia o desde otros circuitos integrados que no incluyan memorias volátiles, y que tengan o sean programables para tener cualquiera de las siguientes características: a. Una o más unidades de procesamiento digital que ejecuten instrucciones de máquina que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; b. Una o más «unidades computacionales primitivas» digitales, excluidas aquellas unidades que contribuyan a la ejecución de instrucciones de máquina especificadas en 3A909.a, que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; c. Una o más «unidades computacionales primitivas» analógicas que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; o d. Cualquier combinación de unidades de procesamiento digital y “unidades computacionales primitivas” en un circuito integrado cuyo “rendimiento de procesamiento total” en los puntos 3A909.a, 3A909.b y 3A909.c sume 6.000 o más. Nota: Los circuitos integrados especificados en el punto 3A909 incluyen unidades de procesamiento gráfico (GPU), unidades de procesamiento tensorial (TPU), procesadores neuronales, procesadores en memoria, procesadores de visión, procesadores de texto, coprocesadores/aceleradores, procesadores adaptativos, dispositivos lógicos programables en campo (FPLD) y circuitos integrados específicos de la aplicación (ASIC). N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan circuitos integrados especificados en el punto 3A909, véase también el artículo 4A006 del Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo. Notas técnicas: A los efectos de 3A909: 1. El “rendimiento total de procesamiento” (“TPP”) es la longitud de bits por operación multiplicada por el rendimiento de procesamiento medido en Tera (1012) Operaciones por segundo (TOPS) en todas las unidades de procesador del circuito integrado. Por ejemplo, el «TPP» para un circuito integrado que tiene dos unidades de procesador digital que son capaces de 200 TOPS a 16 bits es 6400 (2 procesadores x 200 TOPS x 16 bits = 6400). En 3A909, el «TPP» de cada «unidad computacional primitiva» analógica es el rendimiento de procesamiento expresado en TOPS multiplicado por 8. 2. Una «unidad computacional primitiva» se define como aquella que contiene cero o más pesos modificables, recibe una o más entradas y produce una o más salidas. Se dice que una unidad computacional realiza 2N-1 operaciones cada vez que se actualiza una salida en función de N entradas, donde cada peso modificable contenido en el elemento de procesamiento cuenta como una entrada. Cada entrada, peso y salida puede ser un nivel de señal analógica o un valor digital escalar representado mediante uno o más bits. Dichas unidades incluyen: - Neuronas artificiales. - Unidades de multiplicación y acumulación (MAC). - Unidades de punto flotante (FPUs). - Unidades de multiplicación analógica. - Unidades de procesamiento que utilizan memristores, espintrónica o magnónica. - Unidades de procesamiento que utilizan fotónica u óptica no lineal. - Unidades de procesamiento que utilizan pesos analógicos o no volátiles de varios niveles. - Unidades de procesamiento que utilizan memoria de varios niveles o memoria analógica. - Unidades de varios valores o de varios niveles. - Unidades de picos. 3. Las operaciones relevantes para el cálculo de TOPS incluyen tanto operaciones escalares como los componentes escalares de operaciones compuestas, como operaciones vectoriales, operaciones matriciales y operaciones tensoriales. Las operaciones escalares incluyen operaciones con números enteros, operaciones de punto flotante (que a menudo se miden en FLOPS), operaciones de punto fijo, operaciones de manipulación de bits y/o operaciones bit a bit. 4. La tasa de TOPS es el valor máximo teóricamente posible cuando todas las unidades de procesamiento funcionan simultáneamente. Se supone que la tasa de TOPS y la tasa de transferencia bidireccional agregada son el valor más alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el chip. 5. La longitud de bits de una operación es igual a la longitud de bits más alta de cualquier entrada o salida de esa operación. Además, si la unidad de procesamiento está diseñada para operaciones que alcanzan diferentes valores de bits x TOPS, se debe utilizar el valor de bits x TOPS más alto. 6. Para las unidades de procesamiento que proporcionan procesamiento de matrices dispersas y densas, los valores de TOPS son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).
3E919	Tecnología para la fabricación de circuitos integrados especificados en 3B909
3A910	Amplificadores de señal paramétricos que tengan todas las características siguientes: a. Diseñados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 1 K (-272,15 °C); b. Diseñados para funcionar a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive; y c. Un factor de ruido inferior a (mejor que) 0,015 dB a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive a 1 K (-272,15 °C). Nota: Los amplificadores de señal paramétricos incluyen los amplificadores paramétricos de ondas viajeras (TWPAs). Nota técnica: A los efectos de 3A910, los amplificadores de señal paramétricos también pueden denominarse amplificadores limitados cuánticamente (QLAs).
3E920	Tecnología para la fabricación de Amplificadores de señal paramétricos especificados en 3B910.
3B913	Máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, diseñadas para circuitos integrados, no especificadas en el artículo 3B001.g del Reglamento (UE) 2021/821, y que tengan un “sustrato en blanco” de máscara especificado en el artículo 3B001.j del mencionado Reglamento; Nota técnica: A los efectos de 3B913, las máscaras o retículas con una película montada se consideran máscaras y retículas.
3E921	Tecnología para la fabricación de máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, especificados en 3B913.
3C901	Materiales epitaxiales que consisten en un “sustrato” que tiene al menos una capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08?% de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08?% de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C902	Fluoruros, hidruros o cloruros de silicio o germanio que contienen cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08?% de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08?% de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C903	Silicio, óxidos de silicio, germanio u óxidos de germanio que contengan cualquiera de los siguientes: a. Silicio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08?% de isótopos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08?% de isótopos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76. Nota: 3C903 incluye “sustratos”, trozos, lingotes, bolas y preformas.
3E922	Tecnología para la fabricación de los materiales, especificados en 3C901, 3C902 y 3C903.
3B914	Equipo de sondeo criogénico de obleas que tenga todas las características siguientes: a. Diseñado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a 4,5 K (268,65°C); y b. Diseñado para adaptarse a diámetros de obleas superiores o iguales a 100 mm.
3E923	Tecnología para la fabricación de equipos de sondeo criogénico, especificados en 3B914.
3E924	Tecnología” según la Nota General de Tecnología para el “desarrollo” o “producción” de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de “transistor de efecto de campo de puerta envolvente” (“GAAFET”). Nota 1: 3E924 incluye “instrucciones de proceso”. Nota 2: 3E924. no aplica para la calificación o el mantenimiento de herramientas. Nota técnica: A los efectos de 3E924., una “instrucción de proceso” es un conjunto de condiciones, parámetros e instrucciones para un paso de proceso en particular.
3D902	“Software” especialmente diseñado para el “uso” de equipos especificados en 3B902.
3E923	Tecnología para la programación de software, especificados en 3D914.
4A902	Computadoras, “conjuntos electrónicos” y “componentes” que contienen uno o más circuitos integrados, especificados en el artículo 3A907. Nota técnica: A los efectos de 4A902, las computadoras incluyen “computadoras digitales” y computadoras híbridas.
4D901	Software, tal y como se describe a continuación: a. “Programas informáticos” especialmente diseñados o modificados para el “desarrollo” o la “producción” de equipos o “programas informáticos” especificados en 4A901. b. “Programas informáticos”, distintos de los especificados en 4D901.a., especialmente diseñados o modificados para el “desarrollo” o la “producción” de equipos para elementos especificados en 4A901.b. o 4A901.c.
1C902	Productos derivados del potasio, según se indica: a. Cloruro de potasio (CAS 7447-40-7). b. Abonos de cloruro potasio. c. Abonos minerales o químicos cuya base sea fósforo y potasio. Abonos minerales o químicos cuya base sea nitrógeno, fósforo y potasio.
1E902	Tecnología asociada para la fabricación, desarrollo, utilización de armamento convencional fabricado a través de fabricación aditiva. Nota técnica: A los efectos de 1E902, el armamento convencional incluye aquellas armas según se indica: a. Clasificadas bajo las categorías ML1 y ML2 de la Lista Común Militar Europea. b. Armas de fuego, sus piezas y componentes y municiones según lo contemplado en el Reglamento (UE) 2025/41 del Parlamento y del Consejo de 19 de diciembre de 2024. c. Armas de fuego improvisadas. Nota: “Armas de fuego improvisadas”, incluye cualquier producto, terminado o no terminado, no contemplado bajo los artículos 1E902.a y 1E902.b, pero que puede llevar a cabo las mismas funciones independientemente de su precisión, resistencia, fiabilidad y durabilidad.
3A911	Circuitos electroópticos y circuitos integrados ópticos con 70 o más canales ópticos direccionables, que tengan todas las siguientes características: a. Una o más guías de ondas ópticas; b. Uno o más dispositivos de interferencia óptica interna, líneas de retardo, divisores de haz, desfasadores o resonadores de anillo; y c. Cualquiera de los siguientes: 1. Una o más fuentes integradas en guías de ondas de fotones simples o entrelazados; o 2. Uno o más fotodetectores acoplados a guías de ondas que tengan resolución de fotón cero, fotón único y multifotón. Nota técnica: A los efectos de 3A911, la cantidad de “canales ópticos direccionables” en un “circuito integrado óptico” se calcula de la siguiente manera: (la cantidad de guías de ondas que terminan en un acoplador de salida) + (la cantidad de guías de ondas que están acopladas a un fotodetector especificado en 3A911).
1E924	Tecnología para la fabricación de circuitos electroópticos y circuitos integrados ópticos, especificados en 3A911.
3B915	Equipo diseñado para “unión híbrida” y que tenga todas las características siguientes: 1. Precisión de alineación mejor (menor) que 1 µm; y 2. “Minientorno” clasificado para ISO 3 o mejor. Nota: 3B915 incluye equipos diseñados para unión de matriz a matriz (D2D), matriz a oblea con colocación directa (DP-D2W), D2W colectiva (Co-D2W) y oblea a oblea (W2W). Notas técnicas: A los efectos de 3B915: 1. La “unión híbrida” se define como la unión de metal con metal y de dieléctrico con capas dieléctricas en la misma secuencia de proceso. 2. El “minientorno” es el entorno dentro de la herramienta.
1E925	Tecnología para la fabricación de equipos diseñados para “unión híbrida”, especificados en 3B915.

5A902. Sistemas, equipos y componentes de vigilancia para redes públicas de información y comunicación, no especificados en el artículo 5A001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, diseñados para cualquiera de las siguientes funciones:

1. Monitorización para aplicaciones de interceptación legal (de acuerdo con los requisitos de interceptación legal y de seguridad de las telecomunicaciones para funciones de red ETSI ES 201 158, interfaz de traspaso para interceptación legal del tráfico de telecomunicaciones ETSI ES 201 671 o estándares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente diseñados para ellos.

2. Retención de datos de llamadas (de acuerdo con los requisitos para la interceptación legal de datos por los organismos encargados de hacer cumplir la ley para el manejo de datos ETSI TS 102 656 o estándares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente diseñados para los mismos.

Nota técnica: Los datos de llamadas incluyen información de señalización, origen y destino (por ejemplo, números de teléfono, direcciones IP o MAC, etc.), fecha y hora y origen geográfico de la comunicación.

Nota: el subartículo 5A902 no somete a control los sistemas, equipos o componentes diseñados especialmente para cualquiera de los siguientes propósitos:

a) Facturación,

b) Funciones de recopilación de datos dentro de los elementos de la red,

c) Calidad de servicio de la red, o

d) Satisfacción del usuario.

5D902. Programas informáticos no especificados en el artículo 5D001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20 de mayo de 2021, especialmente diseñados o modificados para el desarrollo, producción, uso, configuración funcional y control de rendimiento de los sistemas, equipos y componentes de vigilancia especificados en los artículos 5A902.

4A901. Computadoras cuánticas y ensamblajes electrónicos relacionados y sus componentes, como sigue:

a. Computadoras cuánticas, de acuerdo con los siguientes requisitos;

1. Computadoras cuánticas que admiten 34 o más cúbits físicos, pero menos de 100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 10-4;

2. Computadoras cuánticas que admiten 100 o más cúbits físicos, pero menos de 200, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 10-3;

3. Computadoras cuánticas que admiten 200 o más cúbits físicos, pero menos de 350, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 2x10-3;

4. Computadoras cuánticas que admiten 350 o más cúbits físicos, pero menos de 500, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 3x10-3;

5. Computadoras cuánticas que admiten 500 o más cúbits físicos, pero menos de 700, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 4 x 10-3;

6. Computadoras cuánticas que admiten 700 o más cúbits físicos, pero menos de 1.100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 5 x 10-3;

7. Computadoras cuánticas que admiten 1.100 o más cúbits físicos, pero menos de 2.000, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a 6 x 10-3;

8. Computadoras cuánticas que admiten 2.000 cúbits físicos o más totalmente controlados, conectados y en funcionamiento;

b. Dispositivos cúbits y circuitos cúbits, que contengan o admitan grupos de cúbits físicos, y especialmente diseñados para elementos especificado en 4A901;

c. Componentes de control cuántico y dispositivos de medición cuántica, diseñados especialmente para los elementos especificados en 4A901;

Notas:

1. 4A901 se aplica al modelo de circuito (o “gate-based”) y computadores cuánticos unidireccionales (o “measurement-based”, MBQC).

2. Los artículos especificados por 4A901 no necesariamente deben de contener físicamente cualquier cúbit. Por ejemplo, las computadoras cuánticas basadas en esquemas de fotónica no contienen permanentemente un elemento físico que puede ser identificado como un cúbit. Los cúbits fotónicos se generan mientras la computadora está funcionando y luego se descartan.

3. Los artículos especificados por 4A901 incluyen semiconductores, superconductores, y chips de cúbits fotónicos y conjuntos de chips; conjuntos de dispositivos para capturar iones; otras tecnologías de confinamiento de cúbits; e interconexiones coherentes entre dichos elementos.

4. 4A901 se aplica a elementos diseñados para calibrar, inicializar, manipular o medir los cúbits residentes de una computadora cuántica.

Notas técnicas:

A los efectos de 4A901:

1. Un cúbit físico es un sistema cuántico de dos niveles que se utiliza para representar la unidad elemental de la lógica cuántica por medio de manipulaciones y mediciones que no tienen errores corregidos. Los cúbits físicos se distinguen de los cúbits lógicos, en que los cúbits lógicos son cúbits con errores corregidos compuestos por muchos cúbits físicos.

2. Totalmente controlado significa que el cúbit físico se puede calibrar, inicializar, activar y leer, según sea necesario.

3. Conectado significa que las operaciones de puerta de dos cúbits pueden ser realizadas entre cualquier par arbitrario de los cúbits físicos de trabajo disponibles. Esto no implica necesariamente que se tenga que producir conectividad “todos a todos”.

4. Funcionamiento significa que el cúbit físico realiza funciones universales de trabajo computacional cuántico de acuerdo con las especificaciones del sistema para las medidas del volumen y la capacidad, de acuerdo con la fidelidad operativa de cúbit.

5. Que admiten 34 cúbits físicos o más totalmente controlados, conectados, y en funcionamiento se refiere a la capacidad de una computadora cuántica para confinar, controlar, medir y procesar la información cuántica incorporada en 34 o más cúbits físicos.

6. Error C-NOT es el error de puerta física promedio para las “Controlled-NOT (C-NOT)” puertas vecinas más cercanas de dos cúbits físicos.

4E901. Tecnología para el desarrollo o la producción de computadoras cuánticas, dispositivos y circuitos cúbits, así como componentes de control y medición cuántica especificados en 4A901.

3B901. Equipos de microscopios electrónicos de barrido diseñados para imágenes de dispositivos semiconductores o circuitos integrados, que tengan todas las siguientes características:

a. Precisión de colocación en el escenario igual o inferior a 30 nm;

b. Medición de posicionamiento del escenario realizada con interferometría láser;

c. Calibración de posición dentro de un campo de visión basado en medición de la longitud de escala por interferometría láser;

d. Capacidad de recopilar y almacenar imágenes con más de 2 x 108 píxeles;

e. Superposición del campo de visión de menos del 5 por ciento en las direcciones vertical y horizontal;

f. Unión del campo de visión por superposición inferior a 50 nm; y

g. Voltaje de aceleración superior a 21 kV;

Nota:

3B901. Incluye equipos de microscopios electrónicos de barrido diseñados para la reparación de chips.

3E901. Tecnología para el desarrollo o la producción de microscopios electrónicos de barrido especificados en 3B901.

3D901. Software diseñado para extraer GDSII o datos de diseño estándar equivalentes y realizar una alineación de capa a capa a partir de imágenes de microscopios electrónicos de barrido, y generar una lista de conexión de circuito o datos GDSII de varias capas.

Nota técnica:

Por GDSII (Graphic Design System II) se entiende un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de ilustraciones de circuitos integrados o ilustraciones de diseños de circuitos integrados.

3E902. Tecnología para el desarrollo o la producción de software especificado en 3D901.

3B902. Equipo diseñado para el grabado seco que tenga cualquiera de las siguientes características:

1. Equipos diseñados o modificados para el grabado seco isotrópico, que tengan una selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio (SiGe:Si) mayor o igual que 100:1; o

2. Equipo diseñado o modificado para el grabado anisotrópico seco, que tenga todas las siguientes características;

a. Fuentes de energía de radiofrecuencia con al menos una salida de radiofrecuencia pulsada;

b. Válvulas de conmutación rápida de gas con tiempo de conmutación inferior a 300 milisegundos; y

c. Abrazadera electrostática con veinte o más elementos de temperatura variable controlables.

Nota 1:

3B902 incluye grabado por radicales, iones, reacciones secuenciales o reacciones no secuenciales.

Nota 2:

3B902 incluye el grabado con plasma excitado por pulsos de radio frecuencia, plasma excitado con ciclo de trabajo pulsado, plasma modificado con voltaje pulsado en electrodos, inyección cíclica y purga de gases combinados con plasma, grabado de capa atómica de plasma o grabado de capa cuasi atómica de plasma.

Nota técnica 1:

A efectos de 3B902, la selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio (SiGe:Si) se mide para una concentración de Ge superior o igual al 30?% (Si0,70Ge0,30).

Nota técnica 2:

A los efectos de 3B902, radical se define como un átomo, molécula o ion que tiene un electrón desapareado en una configuración de capa de electrones abierta.

3E903. Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos diseñado para el grabado seco especificados en 3B902.

3E904. Tecnología para el desarrollo o la producción de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de transistor de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET).

1B901. Equipos de fabricación aditiva diseñados o modificados para producir, a partir de materiales energéticos, dispositivos o formas que sean del tipo explosivo, pirotécnicos o propulsores, y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Diseñado o modificado para cumplir con las normas nacionales de seguridad aplicables a entornos con municiones potencialmente explosivas; o

b. Una o más extrusoras ultrasónicas.