Corrección de errores del Reglamento Delegado (UE) 2019/2199 de la Comisión, de 17 de octubre de 2019, que modifica el Reglamento (CE) n.º 428/2009 del Consejo, por el que se establece un régimen comunitario de control de las exportaciones, la transferencia, el corretaje y el tránsito de productos de doble uso
(Diario Oficial de la Unión Europea L 338 de 30 de diciembre de 2019)
En la página 129, la letra f se sustituye por el texto siguiente:
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| «f. | Equipos de litografía según se indica: | | | 1. | Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que posean cualquiera de las características siguientes: | | | a. | Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 193 nm, o | | | | b. | Capacidad de producir un patrón cuyo `tamaño de la característica resoluble mínima´ (MRF) sea igual o inferior a 45 nm Nota técnica: El `tamaño de la característica resoluble mínima´ (MRF) se calcula mediante la siguiente fórmula: Este documento contiene un PDF, para descargarlo pulse AQUI siendo el factor K = 0,35. | | | | | 2. | Equipos de impresión litográfica que puedan producir características de 45 nm de base o menos Nota:El subartículo 3B001.f.2 incluye: | | | - | Instrumentos de impresión por microcontacto | | | | - | Instrumentos de troquelado en caliente | | | | - | Instrumentos de nanoimpresión litográfica | | | | - | Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash). | | | | | 3. | Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes: | | | a. | Un haz de electrones, un haz de iones o un haz «láser», enfocado y desviable, y | | | | b. | Que posean cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o | | | | 3. | Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara 3B001.f. (continuación) | | | | | | 4. | Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes: | | | a. | Un haz de electrones enfocado y desviable, y | | | | b. | Que posean cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o | | | | 2. | Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)». | | | |
