Corrección de errores del Reglamento Delegado (UE) 2020/1749 de la Comisión, de 7 de octubre de 2020, que modifica el Reglamento (CE) n.º 428/2009 del Consejo, por el que se establece un régimen comunitario de control de las exportaciones, la transferencia, el corretaje y el tránsito de productos de doble uso
( Diario Oficial de la Unión Europea L 421 de 14 de diciembre de 2020 )
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| 1. | En la página 94, los puntos 2B206.c.1 y 2B206.c.2 se sustituyen por el texto siguiente: | | | «1. | Que contengan un 'láser', y | | | | 2. | Capaces de mantener durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de ± 1 K (± 1 °C) en torno a una temperatura normalizada y una presión normalizada, todas las características siguientes: | | | a. | Una 'resolución', en toda la escala, igual a 0,1 Œ?m o mejor, y | | | | b. | Con una 'incertidumbre de medida' igual o mejor que (inferior a) (0,2 + L/2 000) Œ?m (donde L es la longitud medida expresada en mm).». | | |
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| 2. | En la página 142, los puntos 3B001.f.3 y 3B001.g se sustituyen por el texto siguiente: | | | «3. | Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes: | | | a. | Un haz de electrones, un haz de iones o un haz 'láser', enfocado y desviable, y | | | | b. | Que posean cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o | | | | 3. | Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara | | | | | | 4. | Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes: | | | a. | Un haz de electrones enfocado y desviable, y | | | | b. | Que posean cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o | | | | 2. | Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma) | | | g. | Máscaras y retículas, diseñadas para circuitos integrados especificados en el artículo 3A001». | | | | |
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| 3. | En la página 160, los puntos 5E001.d.1 a 5E001.d.8 se sustituyen por el texto siguiente: | | | «1. | Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un 'ancho debanda fraccional' superior al 15 %, y que posean cualquiera de características siguientes: | | | a. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz, o | | | | b. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz | | | | c. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz, o | | | | d. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz | | | | | 2. | Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un 'ancho de banda fraccional' superior al 10 %, y que posean cualquiera de las características siguientes: | | | a. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o | | | | b. | Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz | | | | | 3. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un 'ancho de banda fraccional' superior al 10 % | | | | 4. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz | | | | 5. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 % | | | | 6. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un 'ancho de banda fraccional' superior al 10 % | | | | 7. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un 'ancho de banda fraccional' superior al 5 %, o | | | | 8. | Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz». | |
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| 4. | En la página 175, los puntos 6A002.a.1.a a 6A002.a.1.d se sustituyen por el texto siguiente: | | | «a. | Detectores de estado sólido 'calificados para uso espacial' que reúnan todas las características siguientes: | | | 1. | Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 10 nm, pero que no sobrepasen los 300 nm, y | | | | 2. | Respuesta inferior a 0,1 % con respecto a la respuesta de pico a longitudes de onda superiores a 400 nm | | | | | b. | Detectores de estado sólido 'calificados para uso espacial' que reúnan todas las características siguientes: | | | 1. | Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 900 nm, pero que no sobrepasen los 1 200 nm, y | | | | 2. | 'Constante de tiempo' de respuesta igual o inferior a 95 ns | | | | | c. | Detectores de estado sólido 'calificados para uso espacial' que tengan una respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1 200 nm, pero que no sobrepasen los 30 000 nm | | | | d. | 'Conjuntos de plano focal''calificados para uso espacial' que tengan más de 2 048 elementos por conjunto y con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm, pero que no sobrepasen los 900 nm». | |
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| 5. | En la página 179, los puntos 6A002.b a 6A002.f se sustituyen por el texto siguiente: | | | «b. | 'Sensores monoespectrales de formación de imágenes' y 'sensores multiespectrales de formación de imágenes' diseñados para aplicaciones de teledetección, y que presenten cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | Campo de visión instantáneo (IFOV) inferior a 200 microrradianes, o | | | | 2. | Especificados para funcionar en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm, pero que no sobrepasen los 30 000 nm, y que reúnan todas las características siguientes: | | | a. | Que proporcionen salida de datos de imagen en formato digital, y | | | | b. | Que posean cualquiera de las características siguientes: | | | 1. | 'Calificados para uso espacial', o | | | | 2. | Estar diseñados para funcionamiento aerotransportado, utilizar detectores que no sean de silicio y tener un campo de visión instantáneo (IFOV) menor que 2,5 mrad (milirradianes) | | | Nota: El subartículo 6A002.b.1 no somete a control los 'sensores monoespectrales de formación de imágenes', con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm, pero que no sobrepasen los 900 nm, y que incorporen únicamente alguno de los detectores no 'calificados para uso espacial' o 'conjuntos de plano focal' no 'calificados para uso espacial' que se indican a continuación: | | | 1. | Dispositivos de carga acoplada (CCD) no diseñados ni modificados para alcanzar una ? multiplicación de carga? , o | | | | 2. | Dispositivos de semiconductores de óxido metálico complementarios (CMOS) no diseñados ni modificados para alcanzar una ? multiplicación de carga? . | | | | | c. | Equipos de formación de imágenes de ? visión directa? que tengan alguno de los siguientes elementos: | | | 1. | Tubos intensificadores de imagen especificados en el subartículo 6A002.a.2.a o en el subartículo 6A002.a.2.b | | | | 2. | 'Conjuntos de plano focal' especificados en el subartículo 6A002.a.3, o | | | | 3. | Detectores de estado sólido especificados en el subartículo 6A002.a.1 | Nota técnica: | | | La expresión ? visión directa? se refiere a los equipos de formación de imágenes que presentan al observador humano una imagen visible sin convertirla en una señal electrónica para su visualización en una pantalla de televisión, y que no pueden grabar ni almacenar la imagen por medios fotográficos, electrónicos o de otra clase. | Nota: El subartículo 6A002.c no somete a control los equipos siguientes dotados de fotocátodos distintos de los de GaAs o GaInAs: | | | a. | Sistemas de alarma por allanamiento industriales o civiles, o sistemas de control o de recuento de tráfico o de movimientos en la industria | | | | c. | Equipos industriales utilizados para la inspección, clasificación o análisis de las propiedades de los materiales | | | | d. | Detectores de llama para hornos industriales | | | | e. | Equipos diseñados especialmente para uso en laboratorio. | | | | | d. | Componentes para uso especial, para sensores ópticos, según se indica: | | | 1. | Sistemas de refrigeración criogénicos 'calificados para uso espacial' | | | | 2. | Sistemas de refrigeración criogénicos no 'calificados para uso espacial' con temperatura de la fuente de refrigeración inferior a 218 K (- 55 °C), según se indica: | | | a. | De ciclo cerrado y con un tiempo medio hasta el fallo (MTTF) o un tiempo medio entre fallos (MTBF) superior a 2 500 horas | | | | b. | Minirrefrigeradores autorregulables Joule Thomson (JT) que tengan diámetros interiores (exterior) inferiores a 8 mm | | | | | 3. | Fibras ópticas sensoras fabricadas especialmente, en su composición o estructura, o modificadas por revestimiento, de forma que sean sensibles a los efectos acústicos, térmicos, inerciales, electromagnéticos o a las radiaciones nucleares Nota: El subartículo 6A002.d.3 no somete a control las fibras ópticas sensoras encapsuladas diseñadas especialmente para aplicaciones de detección de orificios de perforación. | | | | | f. | ? Circuitos integrados de lectura? (? ROIC? ) diseñados especialmente para los 'conjuntos de plano focal' especificados en el subartículo 6A002.a.3. Nota: El subartículo 6A002.f no somete a control los ? circuitos integrados de lectura? diseñados especialmente para aplicaciones automovilísticas civiles Nota técnica: Un ? circuito integrado de lectura? (? ROIC? ) es un circuito integrado diseñado para subyacer o estar unido a un 'conjunto de plano focal' ('FPA') y utilizado para leer (es decir, extraer y registrar) las señales producidas por los elementos detectores. Como mínimo, el ? ROIC? lee la carga de los elementos detectores extrayendo la carga y aplicando una función de multiplexado de manera que conserve la información de posicionamiento y orientación espacial relativa de los elementos detectores para tratamiento dentro o fuera del ? ROIC? .». | |
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